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Patentix株式会社が世界初のN型導電性を示したルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜の詳細と今後の展望。半導体デバイスに革新をもたらす。
PATENTIXとクオルテックは、二酸化ゲルマニウムの有償サンプル出荷に向けた基本合意を締結しました。今後の展開に注目です。
Patentixが独自のPhantomSVD法で、SiC上にルチル構造二酸化ゲルマニウムを製膜することに成功。今後の展望も紹介します。
Patentix株式会社が立命館ソーシャルインパクトファンドから5000万円の資金調達を行い、半導体開発を加速。低炭素社会の実現を目指します。
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Patentix株式会社が世界初のルチル型GeO2結晶を使ったショットキーバリアダイオードを実現。脱炭素社会に向けた半導体技術の重要な一歩。