Ｐａｔｅｎｔｉｘ株式会社の会社情報・ニュース・クチコミ・評判

Patentixと日電精密工業が協力し、新製品の有償サンプル出荷を開始。神戸工場での製造により、高品質な量産化へ向けた第一歩を踏み出します。

Patentix株式会社が、ルチル型二酸化ゲルマニウムに初めてイオン注入によるn型導電性の付与に成功し、パワー半導体デバイスの製造に新たな道を開きました。

Patentixが次世代パワー半導体材料r-GeO₂をSi基板上に薄膜化することに成功。コスト削減と性能向上に期待。

Patentix株式会社が次世代パワー半導体材料r-GeO₂のp型導電性に関する重要な発見を報告しました。評価手法を用いて、さらなる研究を進めます。

Patentix株式会社がルチル型二酸化ゲルマニウムバルク結晶の合成に成功。次世代パワー半導体としての期待が高まる。

Patentix株式会社が世界初のルチル型GeO2結晶を使ったショットキーバリアダイオードを実現。脱炭素社会に向けた半導体技術の重要な一歩。

Patentix株式会社が世界初のN型導電性を示したルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜の詳細と今後の展望。半導体デバイスに革新をもたらす。

PATENTIXとクオルテックは、二酸化ゲルマニウムの有償サンプル出荷に向けた基本合意を締結しました。今後の展開に注目です。

Patentixが独自のPhantomSVD法で、SiC上にルチル構造二酸化ゲルマニウムを製膜することに成功。今後の展望も紹介します。

Patentix株式会社が立命館ソーシャルインパクトファンドから5000万円の資金調達を行い、半導体開発を加速。低炭素社会の実現を目指します。